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元件参数资料
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参数目录43866
> STD155N3LH6 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
型号:
STD155N3LH6
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STD155N3LH6 PDF
其它有关文件
STD155N3LH6 View All Specifications
标准包装
1
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3800pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
标准包装
其它名称
497-11308-6
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ELM 1-545
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78RB04T
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CMKR
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